1200 V，25 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT，与续流二极管联合封装到 TO247 封装中，结合沟槽栅和场终止概念，显著改善器件静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现最高效率。