型号IGP50N60T |
品牌 |
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管 |
描述 |
产品概述 600 V, 50 A IGBT Discrete in TO-220 package 英飞凌 600 V 50 A 单 TRENCHSTOP™ IGBT3,采用 TO220封装,结合沟槽栅单元和场终止概念,显著改善器件静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合,进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化,实现高效率。 特征描述
优势
|
型号IGP50N60T |
品牌 |
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管 |
描述 |
产品概述 600 V, 50 A IGBT Discrete in TO-220 package 英飞凌 600 V 50 A 单 TRENCHSTOP™ IGBT3,采用 TO220封装,结合沟槽栅单元和场终止概念,显著改善器件静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合,进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化,实现高效率。 特征描述
优势
|