型号IKB20N60T
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
产品概述

600 V,20 A 硬开关 TRENCHSTOP 第三代 IGBT 与全额定续流二极管联合封装到 TO263 D2Pak 封装中,结合了沟槽栅和场终止概念,显著改善了器件的静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合,进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化,实现最高效率。

特征描述

  • 最低 VCEsat 压隆,降低传导损耗
  • 低开关损耗
  • VCEsat 具备正温度系数,实现轻松并联开关能力
  • 极软、快速恢复防并联发射极控制二极管
  • 高稳健性和温度稳定性
  • 低 EMI 排放
  • 低栅极电荷
  • 参数分布非常紧凑

优势

  • 最高效率 – 低传导和开关损耗
  • 丰富的 600 V 和 1200 V 产品组合,支持灵活设计
  • 器件高可靠性