首页 Infineon(英飞凌) IGBT - 绝缘栅双极晶体管 IKFW50N65ES5
型号IKFW50N65ES5 |
品牌 |
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管 |
描述 |
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产品概述 采用TO-247封装和带反并联二极管的650 V/50 A IGBT 采用TO-247先进隔离型封装的650 V/50 A硬开关TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT单管,适合开关速度为10 - 40 kHz的应用。由于高可控性和开关平缓,它不仅具有高效率,并且容易设计,能加快上市速度,简化电路设计。 该封装不再需要绝缘材料,它能实现高功率密度和最佳散热性能,并且,由于从IGBT裸片到散热片拥有高效且可靠的散热路径,它还能实现轻松散热。 特征描述 - 25℃下的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)超低(1.35 V),比TRENCHSTOP™ 5 S5低20%
- 四倍Ic 脉冲电流(100°C Tc)
- 开关特性软,无拖尾电流
- 对称和低电压过冲
- 栅极电压可控(无振荡)。无器件意外导通风险,无需栅极钳位
- 2500VRMS的隔离电压,50/60 Hz,t = 1 min
- 100 %检验的隔离安装表面
- 无铅引线镀层;RoHS认证
- JEDEC 47/20/22的相关试验证明,达到工业应用标准
优势 - 无需使用隔离材料和导热硅脂
- 组装时间相比采用绝缘箔片的标准TO-247封装缩短35%
- 由于消除了隔离箔片安装误差,产品良率上升
- Tc相比拥有隔离材料的标准TO-247封装最多降低10℃
- 输出电流Iout最多增加20%,使得输出功率更高
- 生产流程可控
- 容易并联
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