型号IKW50N65H5
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
相关操作
产品概述

650 V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装

第五代高速 650 V 50 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT 与 RAPID 1 快速超软防关联二极管联合封装到 TO-247 封装，打造同类产品中极为优秀的 IGBT。

特征描述

  • 650 V 击穿电压
  • 对比业界卓著的“HighSpeed 3”系列
  • 系数 Qg 降低 2.5 倍
  • 开关损耗系数降低 2 倍
  • VCEsat 降低 200mV
  • 联合封装 Rapid 硅二极管技术
  • 低 COES/EOSS
  • 温和正温度系数 VCEsat
  • Vf 具有温度稳定性

优势

  • 具有同类产品中非常优秀的效率，降低结温和外壳温度，提高器件可靠性
  • 母线电压可提升 50 V，同时不影响可靠性
  • 更高的功率密度设计

潜在应用

  • 不间断电源 (UPS)
  • 工业加热和焊接