英飞凌 600 V 4 A 单 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用 TO251 封装，结合沟槽栅单元和场终止概念，显著改善器件静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现高效率。