型号IGB50N65H5
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
相关操作
产品概述

650 V 50 A IGBT，采用反并联二极管，TO-263 封装

650V 50A 高速开关 TRENCHSTOP™ 5 采用 D2Pak(TO-263) 封装，为硬开关应用提供超高效率，为同类IGBT产品树立新标杆。该新系列是 IGBT创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。

特征描述

  • 650 V 击穿电压
  • 对比英飞凌“HighSpeed 3”系列
  • Q g 系数降低 2.5 倍
  • 开关损耗系数降低 2 倍
  • VCEsat 降低 200mV
  • 采用英飞凌极速硅二极管技术
  • 低 C OES/E OSS
  • 温和正温度系数 VCEsat
  • V f 的温度稳定性

优势

  • 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性
  • 母线电压可提升 50V，同时不影响可靠性
  • 更高的功率密度设计