型号IGW20N60H3
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
相关操作
产品概述

600 V, 20 A IGBT Discrete in TO-247 package

高速 600V 20 A 单第三代 TRENCHSTOP™IGBT，采用 TO247 封装，在开关和导通损耗之间实现完美平衡。该系列产品主要特性是与 MOSFET 相类似的关断开关行为，降低关断损耗。

特征描述

  • 极低的开关损耗，提高效率
  • 通过著名的英飞凌 TRENCHSTOP™ 技术实现优秀的 Vce(sat) 行为
  • 快速开关行为，低电磁干扰
  • 针对目标应用优化二极管，进一步降低开关损耗
  • 可以选择极低的栅极电阻（低至 5Ω），同时保持优秀的开关行为
  • 短路能力 5µs
  • Tj(max) 175°C
  • 可以选择带或不带续流二极管的封装，增加设计灵活度

优势

  • 开关和导通损耗低
  • 非常优秀的电磁干扰行为
  • 可与小栅极电阻同时使用，缩短延迟时间，减少电压过冲
  • 高电流密度
  • 同类产品中优秀的 600V IGBT 效率和电磁干扰行为