型号IHFW40N65R5S
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
产品概述

采用TO-247先进隔离型封装的650 V/40 A IGBT

采用TO-247先进隔离型封装的650 V/40 A逆导型R5S IGBT单管。该新一代一流器件的诞生,源自TRENCHSTOP™ 5系列的业界领先性能与逆导型RC-H IGBT技术创新的结合。由于拥有单片集成二极管,该650 V R5S IGBT是电磁炉和变频微波炉等软开关应用的理想选择,且适用于也需要一些硬开关功能的设计。

该封装使得不再需要绝缘材料,它能实现高功率密度和最佳散热性能,并且,由于从IGBT裸片到散热片拥有高效且可靠的散热路径,它还能轻松实现散热。

特征描述

  • 集电极-发射极饱和电压(VCEsat)最低,关断损耗(Eoff)得到优化,相比前一代最多降低30%
  • 650V阻断电压
  • 软开关,使得抗电磁干扰性能提升
  • 硬开关功能
  • 2500VRMS的隔离电压,50/60 Hz,t = 1 min
  • 100 %检验的隔离安装表面
  • 无铅引线镀层;RoHS认证
  • JEDEC 47/20/22的相关试验证明,达到工业应用标准

优势

  • 效率一流,使得结温和壳温降低,也使器件可靠性提高
  • 阻断电压可提高50V,使得可靠性提高
  • 适用于拥有更高开关速度(高达40kHz)的设计
  • 无需使用隔离材料和导热硅脂
  • 组装时间相比采用绝缘箔片的标准TO-247封装缩短35%
  • 由于消除了隔离箔片安装误差,产品良率上升
  • Tc相比拥有隔离材料的标准TO-247封装最多降低10℃
  • 输出电流Iout最多增加20%,使得输出功率更高
  • 生产流程可控
  • 容易并联