型号IGB50N65S5
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
相关操作
产品概述

650 V 50 A IGBT，采用反并联二极管，TO-263 封装

High speed 650 V, 50 A soft-switchingTRENCHSTOP™ 5 in D2Pak(TO263) packageIGBT, addressing applications switching between 10 kHz and 40 kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reductionand PCB bill of material cost optimization.

特征描述

  • 在 25°C 下，VCEsat 低至 1.35 V，比TRENCHSTOP™ 5 H5 低 20%
  • I C（n） =标称电流的四倍（100°C T c ）
  • 软电流下降特性，无尾电流
  • 对称的，电压过冲
  • 栅极电压受到控制（无振动）。没有不必要的设备导通风险，也不需要栅极箝位
  • 最高结温 Tvj= 175°C
  • 质量符合 JEDEC 标准

优势

  • 不需要 VCE(peak)箝位电路
  • 适用于单个导通/关断栅极电阻
  • 不需要栅极箝位元件
  • 无需使用米勒钳位的栅极驱动器
  • 减少所需的EMI滤波
  • 非常适合并联