型号IGQ100N120S7
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
相关操作
产品概述

硬开关1200 V、100 ATRENCHSTOP™ IGBT7 S7分立式器件采用TO-247封装,内置EC7 二极管。它具有低饱和压降(VCEsat),可在目标应用中实现超低的导通损耗,与其共同封装的超快速、软恢复发射极控制二极管有助于最大限度地减少开关损耗,从而整体降低总损耗。

特征描述

  • 非常低的饱和压降(Vcesat
  • 可控性佳
  • 全额定电流续流二极管,特性软
  • 对恶劣条件和HV-H3TRB的耐受性
  • 短路时间:8 µs
  • 参数分布离散性小
  • 最高工作结温(Tj):175 °C

优势

  • IGBT损耗较低,系统效率高,输出功率也更高
  • 功率密度更高,无需重新设计散热器
  • 可轻松快速地替换前代T2产品系列
  • 在恶劣的工作条件下,也具有高可靠性
  • 易于设计,可满足EMI要求