型号IGB20N65S5
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
产品概述

650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO263 package

采用 D2Pak(TO263) 封装的 650 V,20 A 高速开关TRENCHSTOP™ 5 单个IGBT适合开关频率在 10 kHz 到 40 kHz 之间的应用,可实现高效率和更快的产品上市周期,降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。

特征描述

  • 在 25°C 下,VCEsat 低至 1.35 V,比TRENCHSTOP™ 5 H5 低 20%
  • I C(n =标称电流的四倍(100°C T c
  • 软电流下降特性,无尾电流
  • 对称的,电压过冲
  • 栅极电压受到控制(无振动)。没有不必要的设备导通风险,也不需要栅极箝位
  • 最高结温 Tvj= 175°C
  • 质量符合 JEDEC 标准

优势

  • 不需要 VCE(peak)箝位电路
  • 适用于单个导通/关断栅极电阻
  • 不需要栅极箝位元件
  • 无需使用米勒钳位的栅极驱动器
  • 减少所需的EMI滤波
  • 非常适合并联