型号IGW30N60T
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
产品概述

采用 TO-247PLUS 封装的 600 V IGBT

得益于沟道单元(trench-cell)和场终止概念的结合,低损耗 600 V, 30 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT, 采用TO-247 封装,显著改善了器件的静态和动态性能。

特征描述

  • 极低的压降VCEsat ,实现更低的通态损耗
  • 低开关损耗
  • VCEsat中的正温度系数使得开关并联更加容易
  • 非常柔软、快速的恢复反并联发射极控制二极管
  • 高坚固性,温度稳定行为
  • 极低的电磁辐射 (EME)
  • 低栅极电荷
  • 参数分布非常紧凑

优势

  • 超高效率-低导通和低开关损耗
  • 600 V和1200 V的全面产品组合,可实现设计灵活性
  • 器件可靠性高