型号IKB30N65ES5
品牌
分类IGBT - 绝缘栅双极晶体管
描述
相关操作
产品概述

650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package

D2Pak (To263)封装 650V，30 A 高速开关 TRENCHSTOP™ 5 全额定电流 Rapid 1 快速和软反并联二极管，适合开关频率在 10 kHz 到 40 kHz 之间的应用，可实现高效率和更快的产品上市周期，降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。

特征描述

  • 在 25 °C 下， VCEsat 低至 1.35 V，比 TRENCHSTOP™ 5 H5 低 20 %
  • ICn=标称电流的四倍 (100 °C Tc)
  • 软电流下降特性，无尾电流
  • 对称的，电压过冲
  • 栅极电压受到控制（无振动）。没有不必要的设备导通风险，也不需要栅极箝位
  • 最高结温 Tvj= 175 °C
  • 质量符合 JEDEC 标准

优势

  • 不需要 VCE(peak)箝位电路
  • 适用于单开 / 关断栅电阻
  • 不需要栅极箝位元件
  • 不需要具有米勒钳位的栅极驱动器
  • 减少所需的 EMI 滤波
  • 非常适合并联