英飞凌的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 150V技术突破性地降低了 R_DS(on) (与采用 SuperSO8 的竞品相比高达 25%)和 Q_rr，在优化系统效率的同时有效减少了设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（SuperSO8 中最低的 Q_rr = 26nC）提高了换向坚固性。

150V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 特别适用于叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及电信和太阳能应用。产品针对同步整流进行了优化，非常适合高频开关应用。现在，通过降低开关和通态损耗、提高功率密度的举措，有效改善了系统效率。因此，并联需求减少使最终产品更坚固，从而降低了整体系统成本。

在需要并联的情况下，与之前的 OptiMOS™ 相比，OptiMOS™ 5 提供了出色的先决条件和改进的阈值电压扩展。

IPC331N15NM5R 的开发重点是模块集成，特别适用于并联 MOSFET 的模块。单片集成的栅极电阻器使并联连接的所有 MOSFET 的栅极端都可以直接互连，客户不需要在模块内部再额外使用分立电阻器。可根据要求为 R_{G int} 进行分箱。

• 低压驱动器