型号IPB65R190CFD
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7

650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先高压 CoolMOS™ MOSFET，具有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600V CFD 后续产品，能效进一步提升。更软的换向行为以及更优秀的电磁干扰行为，使这款产品比竞争产品明显更具优势。

特征描述

  • 采用 650V 技术并集成快速体二极管
  • 硬换向期间限制电压过冲
  • 与 600V CFD 技术相比，Qg 显著降低
  • 更窄的 RDS(on) 最大值到 RDS(on) 典型值窗口
  • 设计导入容易
  • 与 600V CFD 技术相比，价格更低

优势

  • 体二极管重复换向时 Qrr 低，从而降低开关损耗
  • 自限制 di/dt 和 dv/dt
  • 低 Qoss
  • 减少导通和关断延迟时间
  • 出色的 CoolMOS™ 质量

潜在应用

  • 通信
  • 服务器
  • 太阳能
  • HID 灯镇流器
  • LED 照明
  • 电动交通