型号IPB60R360CFD7
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

600V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET，采用 D2PAK 封装，具有集成快速体二极管，是谐振大功率拓扑的理想选择

英飞凌600V CoolMOS™ CFD7超结 MOSFET IPB60R360CFD7，采用 D2PAK 封装，非常适用于高功率开关式电源中的谐振拓扑，例如服务器、电信和电动汽车充电站，可显著提高效率。 作为CFD2超结 MOSFET 系列 的后继产品，与竞品相比，它减少了栅极电荷，改善了关断行为，并减少了高达 69％ 的反向恢复电荷。

特征描述

  • 超快体二极管
  • 出色的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 增强了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 极低的 FOM RDS(on)x Qg和 EOSS
  • 出众的RDS(on)/封装组合

优势

  • 出色的硬换向耐用性
  • 可靠性较高，适用于谐振拓扑结构
  • 兼顾高效率与易用性/性能权衡
  • 可实现更高功率密度解决方案

潜在应用

  • 服务器
  • 电信
  • 电动汽车充电