型号IPZ60R099P6
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

英飞凌CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。

特征描述

  • 减少栅极电荷 (Qg)
  • 更高的 Vth
  • 体二极管耐久性良好
  • 经过优化的集成 Rg
  • dv/dt 从 50V/ns
  • 提高CoolMOS™ 的质量得益于英飞凌在超结技术领域拥有超过 12 年的制造经验

优势

  • 提高了效率，特别是在轻载条件下
  • 具备提前关闭功能，可提高软开关应用效率
  • 适用于硬开关和软开关拓扑
  • 优化了效率与易用性以及对开关行为的良好控制性之间的平衡
  • 坚固性高，效率更高
  • 出色的质量和可靠性

潜在应用

  • 服务器、通信整流器、PC silverbox、游戏控制台的 PFC 级
  • 服务器、通信整流器、PC silverbox、游戏控制台的 PWM 级 (TTF、LLC)

另请参阅我们的 2EDL EiceDRIVER™ 紧凑型 600V 半桥栅极驱动器芯片系列。单片集成低欧姆二极管和超快自举二极管采用电平转换 SOI（绝缘体硅片）技术，适用于 IGBT 或 MOSFET。

2EDN-EiceDRIVER

适用于 MOSFET 的EiceDRIVER™1EDN 和 2EDN 栅极驱动器

下载栅极驱动器 IC综述