型号IPD200N15N3 G |
品牌 |
分类Power MOSFET |
描述 |
产品概述 与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性,如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。 特征描述
优势
潜在应用
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型号IPD200N15N3 G |
品牌 |
分类Power MOSFET |
描述 |
产品概述 与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性,如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。 特征描述
优势
潜在应用
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