型号IMBG120R140M1H
品牌
分类Power MOSFET
描述
产品概述

采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 140mΩCoolSiC™SiC MOSFET,它基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装,将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合,可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。

特征描述

  • 极低的开关损耗
  • 短路能力:3 µs
  • dV/dt完全可控
  • 栅极阈值电压典型值:VGS(th) = 4.5 V
  • 出色的抗寄生导通能力,能够实现0V关断
  • 牢固的体二极管,可用于硬开关
  • .XT互联技术,实现一流的热性能
  • 封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
  • Sense引脚,优化了开关性能

优势

  • 提高效率
  • 实现更高的工作频率
  • 增加功率密度
  • 减少冷却工作
  • 降低系统复杂程度和成本
  • SMD封装,无需增设散热器,即可实现自然对流冷却,因此可直接集成到PCB中