型号IMZA120R020M1H
品牌
分类Power MOSFET
描述
产品概述

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 沟槽型碳化硅MOSFET

采用TO247-4封装的1200V 20mΩCoolSiCTM碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应,从而实现更快的开关速度和更高的效率。

特征描述

  • 出类拔萃的开关损耗和导通损耗
  • 高阈值电压,Vth > 4 V
  • 0V关断栅极电压,实现简单的栅极驱动
  • 宽栅源电压范围
  • 坚固的低损耗体二极管,适用于硬开关
  • 关断损耗受温度影响小
  • .XT扩散焊技术,可实现一流的热性能

优势

  • 最高效率
  • 减少冷却工作
  • 更高频率的运行
  • 增加功率密度
  • 降低系统的复杂程度