型号IMZA120R020M1H |
品牌 |
分类Power MOSFET |
描述 |
产品概述 采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 沟槽型碳化硅MOSFET 采用TO247-4封装的1200V 20mΩCoolSiCTM碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。 英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应,从而实现更快的开关速度和更高的效率。 特征描述
优势
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