型号AIMW120R080M1
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

AIMW120R080M1 专为满足汽车行业对可靠性、质量和性能的高要求而设计。

对于使用 CoolSiC™ MOSFET 的转换器，其开关频率增加可导致磁性组件体积和重量显著减少，最多可减少 25%，从而导致应用成本显着减少。 性能的提高符合新法规对电动汽车更高能效的要求。卓越的栅极氧化层可靠性以及一流的英飞凌 SiC 质量保证了产品非常长且安全的使用寿命，甚至可以满足非常严格的任务要求。

其他特性，如在 1200 V 开关中的最低栅极电荷和器件电容电平、内部换流体二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通状态特性保证了简单设计和易于控制的应用程序设计。

特征描述

  • 革命性半导体材料碳化硅
  • 开关损耗极低
  • 无阈值导通状态特性
  • 和IGBT驱动相兼容的电压(导通电压为18V)
  • 栅极关断电压为0 V
  • 基准栅极阈值电压, VGS(th)=4.5V
  • 完全可控的 dv/dt
  • 鲁棒性强的换流体二极管,可供同步整流
  • 与温度无关的关断开关损耗

优势

  • 效率提升
  • 实现更高频率
  • 功率密度增加
  • 冷却耗能减少
  • 减少系统复杂性和成本

潜在应用

  • 车载充电器/PFC
  • 增压机/DC-DC 转化器
  • 辅助逆变器