型号IPAN80R360P7
品牌
分类Power MOSFET
描述
产品概述

效率和散热性能的新基准

800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足性能,易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用,包括适配器和充电器,LED驱动器,音频SMPS,辅助和工业电源。

与其前代产品相比,这一新产品系列可提供高达0.6%的效率增益;与典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品想相比,MOSFET温度降低2°C至8°C。它还通过降低开关损耗和改善DPAK R DSon产品,实现更高功率密度的设计。总而言之,这有助于客户节省物料成本,减少组装工作量。

特征描述

  • 同类中较为出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss
  • 同类中较为出色的 DPAK R DS(on) 280mΩ
  • 同类中较为出色的 V (GS)th,3V,和最小 V (Gs)th 变动 ± 0.5V
  • 集成齐纳二极管 ESD 保护,最高可达 2 级(HBM)
  • 出色的质量和可靠性
  • 完全优化的组合

优势

  • 相比于 CoolMOS™ C3,它具有 0.1% 至 0.6% 效率增益并使 MOSFET 温度降低 2°C 到 8°C
  • 可实现更高功率密度设计、节约更多 BOM 以及更低的装配成本
  • 易于驱动和设计
  • 通过减少ESD相关故障,提高产量
  • 减少生产问题,减少外部退货
  • 易于选择合适的零件来优化设计

潜在应用

  • 适配器
  • LED
  • 音频
  • 工业 SMPS
  • 辅助电源