型号IPLK70R2K0P7
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

700 V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET，采用 ThinPAK 5x6 封装

CoolMOS™ P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑战，具备卓越的性能和易用性，更小的外形尺寸和更高的价格竞争力。ThinPAK 5x6 封装的特点是占用空间非常小，仅为 5x6 mm²，低剖面高度仅为 1 mm。再加上其标杆的低寄生效应，正是这些特点造就了其更小的外形尺寸，同时还有助于提高功率密度。此组合使ThinPAK 封装中的 CoolMOS™P7成为了其目标应用的完美选择。700V CoolMOS™ P7 系列针对反激式拓扑结构进行了优化。

特征描述

  • 出色的 FOM RDS(on)* Eoss；降低的 Qg、 Ciss和 Coss
  • 出色的 280mΩ DPAK RDS(on)
  • 出色的 3V V(GS)th 和最小的 ± 0.5V V(GS)th变化
  • 集成齐纳二极管 ESD 保护达到 2 级 (HBM)
  • 出色的品质和可靠性
  • 低 EMI
  • 宽范围的 RDS(on)值
  • 完全优化的产品系列

优势

  • 与 CoolMOS™ C3 相比，效率提高了 0.1% 至 0.6%，MOSFET 温度降低了 2°C 至 8°C
  • 可实现更高功率密度设计、BOM 节省和更低的装配成本
  • 易于驱动和设计
  • 与最新的 CoolMOS™ 充电器技术相比，功率密度有所提高
  • 通过减少 ESD 相关故障以提高产量
  • 减少生产问题，减少现场失效
  • 易于选择正确的部件进行调谐设计

潜在应用

  • 高密度充电器和适配器
  • USB-PD
  • 音频产品
  • 工业开关电源
  • 辅助电源