型号IPP65R041CFD7 |
品牌 |
分类Power MOSFET |
描述 |
产品概述 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 TO-247 封装,集成快速体二极管,是谐振高功率拓扑结构的理想之选 英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R041CFD7 采用 TO-247 封装,尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品,该产品可显著提高效率。 作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品,IPP65R041CFD7 的栅极电荷更低,关断行为得以改善,反向恢复电荷较低,从而可显著提高效率与功率密度,且击穿电压可额外提高 50V。 特征描述
优势
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