型号IPL65R115CFD7
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 集成了快速体二极管，是谐振大功率拓扑结构的理想选择

英飞凌650 V CoolMOS™CFD7超结MOSFETIPL65R115CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。 作为CFD2超结MOSFET系列的后续产品，该器件的栅极电荷更低，关断性能更优异且反向恢复电荷更少，因此可显著提高效率与功率密度，额外提升 50V 的击穿电压。

特征描述

  • 超快体二极管和极低 Qrr
  • 650 V 击穿电压
  • 相较于竞品，开关损耗显著降低
  • 极低的 RDS(on)温度依赖度

优势

  • 出色的硬换向稳健性
  • 高总线电压提供额外的设计安全裕度
  • 实现更高功率密度
  • 工业 SMPS 应用中的卓越轻载效率
  • 工业 SMPS 应用中的出色满载效率
  • 比市场竞品更有竞争力的价格

潜在应用

  • 电动汽车快速充电
  • 服务器电源
  • 太阳能系统解决方案
  • 电信基础设施