型号IPZ65R045C7
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。

特征描述

  • 650V 电压
  • 具有突破性且出色的R DS(on)/封装
  • 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)
  • 低栅极电荷Qg
  • 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间
  • 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验

优势

  • 提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
  • 低通态损耗/小封装
  • 低开关损耗
  • 提高轻载效率
  • 增加功率密度
  • 出色的CoolMOS™质量

潜在应用

  • 通信
  • 服务器
  • 太阳能
  • 计算机电源

另请参阅我们的 2EDL EiceDRIVER™ 紧凑型 600V 半桥栅极驱动器芯片系列。单片集成低欧姆二极管和超快自举二极管采用电平转换 SOI（绝缘体硅片）技术，适用于 IGBT 或 MOSFET。

2EDN-EiceDRIVER

适用于 MOSFET 的EiceDRIVER™1EDN 和 2EDN 栅极驱动器

下载栅极驱动器 IC综述