型号IMZA65R039M1H
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

650V CoolSiC™ MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，性能可靠且经济高效

CoolSiC™MOSFET技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。

英飞凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而加快开关速度，提高效率。

特征描述

  • 低电容
  • 更高电流下经过优化的开关行为
  • 具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的整流稳健快速体二极管
  • 卓越的门极氧化可靠性
  • 出色的热性能
  • 更高的雪崩耐量
  • 可使用标准驱动程序
  • 4引脚封装

优势

  • 高性能、高可靠性和易用性
  • 实现高系统效率
  • 降低系统成本和复杂性
  • 减小系统尺寸
  • 适用于具有硬换向事件的拓扑
  • 适用于高温和恶劣的运行条件
  • 实现双向拓扑

潜在应用

  • 服务器
  • 电信系统
  • SMPS
  • 太阳能系统
  • 储能和电池信息
  • UPS
  • 电动汽车充电
  • 电机驱动器