型号IPBE65R190CFD7A
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

650V CoolMOS™ N 沟道汽车级SJ 功率 MOSFET CFD7A

D2PAK 7 引脚封装中的 190mOhm IPBE65R190CFD7A 是汽车级认证 650V CoolMOS™ SJ 功率MOSFET CFD7A系列中的一款产品。与上一代产品相比，CoolMOS™ CFD7A具有更高的可靠性和功率密度，同时增强了设计灵活性。结合使用英飞凌的 650 VCoolMOS™CFD7A技术和 D2PAK 7 引脚封装时，更出色的效率和热性能将令客户获益匪浅。D2PAK 7 引脚（驱动器-源极引脚）中使用的开尔文源极概念克服了源极电感造成的限制，并提升了开关性能。因此，系统级别（特别是高电流下）的优点是降低了开关损耗和热量。此外，漏极和源极/栅极之间的爬电距离增加 4.2mm，有助于在高达 475V 的蓄电池电压等级下使用器件。

特征描述

  • 符合 AEC-Q101 认证标准
  • 电池电压高达 475V 且毫不影响可靠性标准
  • 硬开关和软开关拓扑效率提升高达 98.4%
  • 固有快速体二极管的 Qrr比 CoolMOS™ CFDA 低 30%
  • 进一步提升效率的开尔文源极概念

优势

  • 在满足汽车寿命要求方面具有行业最高可靠性
  • 实现更高功率密度设计
  • 可扩展设计用于 PFC 和 DC-DC 级
  • 提供丰富的产品组合

潜在应用

  • 车载充电器
    • 硬开关拓扑（带 SiC 二极管）
    • PFC 升压级
    • 车载充电器的 DC-DC 级
  • HV-LV DC-DC转换器
    • LLC 或全桥移相 (ZVS)
  • 辅助电源