型号IPZA65R018CFD7
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 TO-247 封装，集成快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想之选

英飞凌650V CoolMOS™CFD7超结MOSFETIPZA65R018CFD7 采用 TO-247 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。

作为CFD2超结MOSFET系列的后续产品，IPZA65R018CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。

特征描述

  • 采用超快体二极管，Qrr极低
  • 650V 击穿电压
  • 相较于竞品，开关损耗显著降低
  • RDS(on)的温度依赖性极低

优势

  • 出色的硬换向稳健性
  • 总线电压提高，为设计提供额外安全裕度
  • 可实现更高的功率密度
  • 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率
  • 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率
  • 相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力

潜在应用

  • 电动汽车快速充电
  • 蜂窝通信基础设施
  • 服务器电源
  • 太阳能系统解决方案