型号IPN60R1K0PFD7S
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

采用 SOT-223 封装的 600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET

600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R1K0PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7，可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R1K0PFD7S，其 RDS(on)为 1,000mOhm，降低了开关损耗。600V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间，可促进生产。

该产品系列旨在实现超高功率密度和高效率设计。这些产品主要适用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器。CoolMOS™与 P7 和 CE MOSFET 技术相比， 600V CoolMOS™ PFD7 的轻载和满载效率提高，功率密度提高了 1.8W / inch3。

特征描述

  • FOM RDS(on)x Eoss 非常低
  • 集成坚固耐用的快速体二极管
  • 高达 2kV 的静电放电保护
  • 广泛的 RDS(on)数值
  • 出色的换向强度
  • 低 EMI
  • 广泛的产品封装组合

优势

  • 开关损耗非常小
  • 与新型 CoolMOS™ 充电器技术相比，提高了功率密度
  • 与 CoolMOS™ CE 技术相比，在低功率驱动器应用中效率更高并热性能更加出色
  • 降低了物料清单成本，易于生产
  • 坚固耐用
  • 可轻松选择合适的部件进行设计微调

潜在应用

  • 消费品
  • 充电器
  • 适配器
  • 电冰箱
  • 风扇
  • 泵