型号BSS127I |
品牌  |
分类Power MOSFET |
描述 |
产品概述 采用 SOT-23-3 封装的 N-沟道增强型小信号晶体管专为工业和消费类应用而设计 N-沟道增强模式 MOSFET BSS127I 采用 SOT-23-3 封装，其特性为 VDS = 600 V、RDS(on)最大 =500 Ohm。 凭借最佳性价比和小尺寸封装，英飞凌的小信号和小功率 MOSFET 是各种应用和电路的最优之选。其中包括低压驱动、线性电池充电器、电池保护、负载开关、DC-DC 转换器、 反极性保护 等。 小信号/小功率 N-沟道和 P-沟道 MOSFETs可提供广泛的 VGS(th)水平和 RDS(on)值， 以及多种电压等级。凭借增强和耗尽型的双重选项以及工业级资质，英飞凌的产品组合成为了最适合工业和消费品市场的产品。 特征描述
优势
潜在应用
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