型号IPB60R060C7
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

CoolMOS™ C7超级结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑结构内可提供最佳性能

600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！

CoolMOS™ C7 提供的更高效率有益于效率和总体拥有成本（TCO）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（>96%）。在 PFC 拓扑结构中，可获得 0.3% - 0.7% 的增益，在LLC拓扑结构中，可获得 0.1% 的增益。例如，如果是 2.5kW 的服务器 PSU，在 TO-247 4 针套件内采用 600V CoolMOS™ C7 超级结 MOSFET 可为 PSU 能量损耗减少大约 10% 的能源成本。

特征描述

  • 开关损耗参数减少，如 Q G、C oss、E oss
  • 最佳品质因数 Q G*R DS(on)
  • 开关频率增加
  • 世界上最佳的 R (on)*A
  • 坚固体二极管

优势

  • 可在不损失效率的情况下增加开关频率
  • 为轻负载和满载效率测量显示关键参数
  • 开关频率加倍会将磁性元件的尺寸减半
  • 对于相同的 R DS(on)，包装更小
  • 可用于硬开关和软开关拓扑结构中的更多位置

潜在应用

  • 服务器
  • 通信
  • 计算机电源
  • 太阳能
  • 工业
  • USB-PD

2EDN-EiceDRIVER

适用于 MOSFET 的EiceDRIVER™1EDN 和 2EDN 栅极驱动器

下载栅极驱动器 IC综述