型号IPDQ60R010S7A
品牌
分类Power MOSFET
描述
产品概述

极低 RDS(on) * 采用创新型顶部冷却 QDPAK 封装的超结 MOSFET,低频开关汽车应用的理想之选

汽车级 600V CoolMOS™ S7A 超结 MOSFET 系列符合 AEC-Q101 标准,经优化后可显著降低导通损耗,具备高压超结 MOSFET 市场领域中的较低 RDS(on)。该系列产品具备前所未有的 RDS(on) 与价格优势,品质因数出色,尤为适用于高压电熔丝、高压电子断开装置和有源线路配置中的车载充电器 PFC 级。

特征描述

  • 低 RDS(on)
  • 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
  • 针对导通性能进行优化
  • 热阻改善
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源极引脚可改善大电流下的开关性能

优势

  • 低导通损耗
  • 提高效能
  • 更为紧凑与简便的设计
  • 总体拥有成本 (TCO) 或 BOM 成本降低

潜在应用

  • 高压电熔丝
  • 高压电子断开装置
  • 车载充电器