型号IPDQ60R022S7
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

英飞凌低 RDS(on) 600V 超结 MOSFET 采用高效顶部冷却 QDPAK 封装，是低频开关应用和固态解决方案的理想选择

在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列针对低导通损耗作了优化，具有市场上最低的 RDS(on)。其 RDS(on) x 价格品质因数前所未有，完美契合大功率电源中的固态断路器和继电器、PLC、电池保护及有源桥式整流。顶部冷却可最大限度地降低导通损耗，同时最大限度地提高功率密度，冷却方式采用最高效的 SMD 冷却。

特征描述

  • 低 RDS(on)
  • 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
  • 针对导通性能进行优化
  • 耐热性提高
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源极配置引脚改善了高电流下的开关性能

优势

  • 最大限度地降低导通损耗
  • 提高能效
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 在固态设计中无需或减少散热器
  • 较低的 TCO 成本或 BOM 成本

潜在应用

  • SMPS
  • 太阳能系统
  • 电池和设备保护
  • 固态继电器 (SSR) 和固态断路器 (SSCB)
  • 室内商业照明控制
  • 不间断电源
  • 低速电动车 (LSEV)
  • 可编程逻辑控制器 (PLC)
  • 室内空调