型号IPD60R180P7
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性

600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的RonxA 和固有低栅极电荷 (QG)，确保高效率。

特征描述

效率

  • 600V P7 支持优异 FOM RDS(on)xEoss和 RDS(on)xQG

使用方便

  • 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 RDS(on)s
  • 集成栅极电阻器 RG
  • 坚固体二极管
  • 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线
  • 标准级和工业级部件可供选择

优势

效率

  • 优异 FOM RDS(on)xQG/RDS(on)xEoss，实现更高效率

使用方便

  • 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性
  • 集成 RG降低 MOSFET 振荡敏感度
  • MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑
  • 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性
  • 广泛适用于各种终端应用和输出功率
  • 可选部件适用于消费和工业应用

潜在应用

  • 电视电源
  • 工业 SMPS
  • 服务器
  • 通信
  • 照明