型号IPT60R080G7
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

使用开尔文源极概念的新型SMD封装

CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列（G7）首次将改进型 600V CoolMOS™ C7 Gold 技术优势、4 引脚开尔文源极能力以及 TO-Leadless(TOLL )封装改进热属性相结合，为高达3kW的功率因数校正（PFC）等大电流硬开关拓扑应用以及诸如高端LLC等谐振电路打造了一个可能的 SMD 解决方案。

特征描述

CoolMOS™ C7 Gold SJ MOSFET

  • 出色的FOM RDS（on）* Eoss和RDS（on）* QG.

  • 出色的R Ds(on)，其所占空间最小

TO-Leadless封装

  • 内置第4引脚开尔文源配置和低寄生源电(~1nH)

  • 符合MSL1标准、完全无铅、具有易于肉眼检查带槽引线

  • 提高热性能Rth

优势

  • 得益于封装低寄生源电感和4pin开尔文源概念，C7 Gold技术得以改进，切换速度更快，从而实现了更高的效率

  • 通过替换TO封装（高度限制）或由于热或RDS（on）要求对SMD封装进行并联，在小封装中实现了低RDS（on），从而提高了功率密度

  • 通过转向表面贴装（SMD），加快装配时间，从而能降低生产成本

潜在应用

  • 通信

  • 服务器

  • 太阳能

  • 工业 SMPS

2EDN-EiceDRIVER

适用于 MOSFET 的EiceDRIVER™1EDN 和 2EDN 栅极驱动器

下载栅极驱动器 IC综述