首页 Infineon(英飞凌) Power MOSFET IPD5N25S3-430
型号IPD5N25S3-430 |
品牌 |
分类Power MOSFET |
描述 |
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产品概述 特征描述 - N 通道 - 增强模式
- AEC 认证
- MSL1 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的工作温度
- 环保产品(符合 RoHS)
- 100% 经过雪崩测试
优势 - 采用沟槽栅技术的低RDS(on) - 低至19.3 mOhm
- 最大电流高达 64A
- 低开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
- 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
- 优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级
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