型号IPTG111N20NM3FD
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 具有更高的板上温度循环性能

OptiMOS™ 功率 MOSFET IPTG111N20NM3FD 采用改良的翼型引脚 TO-Leadless 封装。TOLG封装尺寸与 TO-Leadless 封装尺寸互相兼容，与 D2PAK 7 引脚相比，TOLG 封装具有出色的电器性能，同时减少了约 60% 的电路板空间。这款 OptiMOS™3 - 200 V 的新型封装具有非常低的 RDS(on)，而且经过优化，可处理大于 300 A 的高电流。

得益于翼型引脚的灵活性，采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 在铝基板上表现出了优异的焊点可靠性。因此，与标准要求 (IPC-9701) 相比，板上温度循环 (TCOB) 性能高出了 2 倍。

TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。

特征描述

  • 最佳的技术
  • 高额定电流>300 A
  • 低振铃和电压过冲
  • 电路板占用空间比 D2PAK 7 引脚减少 60％
  • 翼型引脚

优势

  • 高性能能力
  • 系统可靠性高
  • 高效率和低电磁干扰
  • 优化电路板利用率
  • 板上温度循环性能高

潜在应用

  • 电动踏板车
  • 轻型电动车
  • 电动工具
  • 电池管理系统