型号IPT030N12N3 G |
品牌 |
分类Power MOSFET |
描述 |
产品概述 采用 TOLL 封装的 120V OptiMOS™ 功率 MOSFET IPT030N12N3 G在额外的击穿电压裕度和低导通电阻 (RDS(on)) 之间达到了出色平衡,是电池供电设备的理想选择。英飞凌OptiMOS™ 功率 MOSFET120V 技术 符合TO-Leadless 封装要求, 针对大电流应用进行了优化。TOLL 封装是高功率密度应用的理想解决方案,与 D2PAK 7 引脚相比,封装尺寸减小了30%,且封装电感更低。 特征描述
优势
潜在应用
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