型号IPT030N12N3 G
品牌
分类Power MOSFET
描述
产品概述

采用 TOLL 封装的 120V OptiMOS™ 功率 MOSFET

IPT030N12N3 G在额外的击穿电压裕度和低导通电阻 (RDS(on)) 之间达到了出色平衡,是电池供电设备的理想选择。英飞凌OptiMOS™ 功率 MOSFET120V 技术 符合TO-Leadless 封装要求, 针对大电流应用进行了优化。TOLL 封装是高功率密度应用的理想解决方案,与 D2PAK 7 引脚相比,封装尺寸减小了30%,且封装电感更低。

特征描述

  • 紧凑型封装中的RDS(on),比等效的 D2PAK 7 引脚部件低16%
  • 封装体积比 D2PAK 7 引脚减少 60%
  • 适用于不需要 150V MOSFET 的 72V 电池供电设备

优势

  • 高功率密度和改善的热管理
  • 所需电路板空间减少
  • 高系统效率,并联需求减少

潜在应用

  • 轻型电动车
  • 低压驱动器
  • 电池供电工具