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Infineon(英飞凌)
Power MOSFET
IPD60N10S4L-12
型号
IPD60N10S4L-12
品牌
分类
Power MOSFET
描述
相关操作
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产品概述
特征描述
N 通道 - 增强模式
AEC 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 的工作温度
环保产品(符合 RoHS)
100% 经过雪崩测试
优势
最大电流高达 180A
低开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
稳固的封装,出色的品质,高可靠性
优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级
潜在应用
48V 逆变器
48V 直流/直流
HID 照明
SPICE仿真模型
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