英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOS^TM5 100 V: IQE065N10NM5SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。

此外，更高的效率、更低的主动散热要求和有效的热管理布局都是系统级的优势。源极底置概念得益于其新基准 R_DS（on） 和创新的布局能力，在热管理领域处于领先地位。

此外，与塑封封装相比，双面散热封装可承受三倍以上的耗散功率。源极底置系列主要针对 电驱动， 电信， SMPS 或 服务器等应用。 这项新技术目前有两种不同的封装版本：源极底置标准栅极和源极底置中心栅极（针对并联进行了优化）。

• 驱动
• SMPS
  
• 服务器
• 电信
• OR-ing
• 电池管理