型号BSS169I
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

采用 SOT-223 封装的 N-沟道耗尽型小信号 MOSFET 专为工业和消费类应用而设计

N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装，其特性为 VDS = 600 V、RDS(on)= 60 Ohm。

凭借最佳性价比和小尺寸封装，英飞凌的小信号和小功率 MOSFET 是各种应用和电路的最优之选。其中包括低压驱动、线性电池充电器、电池保护、负载开关、DC-DC 转换器、 反极性保护 等。

小信号/小功率 N-沟道和 P-沟道 MOSFETs可提供广泛的 VGS(th)水平和 RDS(on)值， 以及多种电压等级。凭借增强和耗尽型的双重选项以及工业级资质，英飞凌的产品组合成为了最适合工业和消费品市场的产品。

特征描述

  • 小尺寸封装
  • 正常电平和逻辑电平栅极驱动均可使用
  • 增强和耗尽型双重选项
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 快速开关
  • 雪崩能力
  • 符合 JEDEC 工业应用标准

优势

  • 节省 PCB 空间和成本
  • 灵活的栅极驱动
  • 降低设计复杂性
  • 环保型产品
  • 综合效率高
  • 可实现稳健的设计
  • 工业级资质

潜在应用

  • 电池管理和保护
  • 工业驱动
  • LED 背光
  • 负载开关
  • 反极性保护
  • DC-DC 转换器