型号IQE065N10NM5CG
品牌
分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

OptiMOS™ 低压功率 MOSFET 30 V 采用 PQFN 3.3x3.3 源极底置封装，具有行业领先的RDS(on) 和卓越的热性能

IQE065N10NM5CG 是英飞凌对创新性源极底置技术的延伸。OptiMOS™5 30 VPQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on)新标杆和创新布局能力使源极底置概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括电机驱动、电信、SMPS 或服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。

特征描述

  • 与现有技术相比，RDS(on) 大幅降低30%
  • 采用 PQFN 封装技术后RthJC 改善
  • 可获得标准栅极和置中栅极尺寸
  • 优化后的新布局

优势

  • 实现最高的功率密度和性能
  • 卓越的热性能
  • 优化布局，有效利用面积
  • 简化采用置中栅极尺寸的多个 MOSFET 并行配置
  • 降低 PCB 损失
  • 降低寄生参数

潜在应用

  • 电机驱动
  • SMPS
    • 服务器
    • 电信
    • OR-ing
  • 电池管理