型号ISC027N10NM6
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

采用 SuperSO8 封装的正常电平 100 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET

正常电平 ISC027N10NM6 OptiMOS™ 6 系列 100 V 器件在分立式功率 MOSFET 领域树立了全新技术标准。相较于替代产品，英飞凌的领先薄晶圆技术显示出卓越性能优势。

英飞凌 100 V OptiMOS™ 6 工业功率 MOSFET 旨在用于高开关频率应用，如电信和服务器电源，亦适用于太阳能、电动工具和无人机等应用。

与前代 OptiMOS™ 5 技术相比，SuperSO8 封装型 MOSFET 的导通电阻 (RDS(on)) 降低了近 20%，品质因数（FOM - RDS(on) x Qg 和 Qgd）改善了 30%。设计人员由此即可提高产品效率，简化热设计，减少并联，进而降低系统成本。

特征描述

相较于 OptiMOS™ 5，新技术具备以下优势：

  • RDS(on) 降低近 20%
  • FOMg 改善了 30%，FOMgd 改善 40%
  • 更低更弱的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 非常适合高开关频率
  • 根据 J-STD-020 标准，具备湿敏等级 (MSL) 1 级
  • 175 °C 额定结温
  • 高雪崩能量
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准

优势

  • 低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 快速导通/关断
  • 更少并联需求
  • 稳健可靠
  • 环保
  • 更少并联需求

潜在应用

  • 电信
  • 服务器
  • 无人机
  • 机器人
  • 太阳能
  • 电动工具
  • 电池管理系统