型号IPTC014N08NM5 |
品牌 |
分类Power MOSFET |
描述 |
产品概述 采用 TOLT 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 具有出色的热性能 IPTC014N08NM5 属于采用 TOLT 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET系列: 采用 TO-Leaded 顶部冷却封装,热性能优越。这种创新型封装结合了 OptiMOS™ 5 技术的主要特征,使英飞凌的 80 V 产品成为同类产品中的佼佼者,而且可以为高功率密度设计提供大于 300 A 的高额定电流。 通过顶部冷却,漏极会暴露在封装表面,这样 95% 的热量就可以直接通过散热片散热,与 TOLL 封装相比,RthJA 提高了 20%,RthJC 提高了 50%。而采用底部冷却的封装类型,如 TOLL 或 D2PAK,热量则需要通过 PCB 经散热器散热,从而会导致高功率损耗。 采用 TOLT 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 主要用于电动工具,轻型电动车和电池管理系统。 特征描述
优势
潜在应用
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