型号IPTC014N08NM5
品牌
分类Power MOSFET
描述
产品概述

采用 TOLT 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 具有出色的热性能

IPTC014N08NM5 属于采用 TOLT 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET系列: 采用 TO-Leaded 顶部冷却封装,热性能优越。这种创新型封装结合了 OptiMOS™ 5 技术的主要特征,使英飞凌的 80 V 产品成为同类产品中的佼佼者,而且可以为高功率密度设计提供大于 300 A 的高额定电流。

通过顶部冷却,漏极会暴露在封装表面,这样 95% 的热量就可以直接通过散热片散热,与 TOLL 封装相比,RthJA 提高了 20%,RthJC 提高了 50%。而采用底部冷却的封装类型,如 TOLL 或 D2PAK,热量则需要通过 PCB 经散热器散热,从而会导致高功率损耗。

采用 TOLT 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 主要用于电动工具,轻型电动车电池管理系统

特征描述

  • 低 RDS(on)
  • 高额定电流>300 A
  • 顶部冷却
  • 负引脚本体高差
  • 无锡外露焊盘

优势

  • 提高系统效率,有助于延长电池寿命
  • 高功率密度
  • 优越的热性能
  • 节省冷却系统
  • 最大限度地降低散热器的热阻

潜在应用

  • 电动工具
  • 轻型电动车
  • 电池管理系统