型号IPTC011N08NM5 |
品牌 |
分类Power MOSFET |
描述 |
产品概述 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用 TOLT 封装,具有出色的热性能 IPTC011N08NM5 属于TOLT 封装 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 系列:采用 TO-Leaded 顶部散热封装,热性能优越。这种创新型封装结合了 OptiMOS™ 5 技术的主要特征,使英飞凌的 80 V 产品成为同类产品中的佼佼者 >300 A 而且可以为高功率密度设计提供高额定电流。 依托顶部散热设计,漏极暴露在封装表面,因此可将 95% 的热量传导至散热片。相较于 TOLL 封装,TOLT 封装的 RthJA 降低了约 20%,RthJC 改善近 50%。而采用底部散热的封装类型,如 TOLL 或 D2PAK,热量则需要通过 PCB 经散热片散热,从而会导致高功率损耗。 TOLT 封装型 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 主要用于电动工具, 轻型电动车 和 电池管理系统。 特征描述
优势
潜在应用
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