OptiMOS™ 功率 MOSFET IPTG011N08NM5 采用改良的翼型引脚 TO-Leaded 封装。TOLG封装尺寸与 TO-Leadless 封装尺寸互相兼容，与 D²PAK 7 引脚相比，TOLG 封装具有出色的电器性能，同时减少了约 60% 的电路板空间。这款 OptiMOS™5 - 80 V 的新型封装具有非常低的 R_DS(on) ，而且经过优化，可处理大于 300 A 的高电流。

得益于翼型引脚的灵活性，采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 在铝基板上表现出了优异的焊点可靠性。因此，与标准要求 (IPC-9701) 相比，板上温度循环 (TCOB) 性能高出了 2 倍。

TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。

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