首页 Infineon(英飞凌) Power MOSFET IPB80N08S2L-07
型号IPB80N08S2L-07 |
品牌 |
分类Power MOSFET |
描述 |
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产品概述 特征描述 - N 通道逻辑电平 - 增强模式
- 通过汽车 AEC 101 认证
- MSL1 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的工作温度
- 环保封装(无铅)
- 超低 Rds(on)
- 100% 经过雪崩测试
优势 - 75V 时, RDS (on)为世界极低值,采用平面工艺
- 极高的冲击电流能力
- 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
- 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
- 优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级
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