型号BSZ099N06LS5
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分类Power MOSFET
描述
相关操作
产品概述

OptiMOS™5功率MOSFET逻辑电平在小型封装中提供低R DS（on）

英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。

特征描述

  • 小型封装中的低R Ds(on)
  • 低栅极电荷
  • 降低输出电荷
  • 逻辑电平兼容

优势

  • 更高的功率密度设计
  • 更高的开关频率
  • 5V 供电可用时即可减少器件数量
  • 微控制器直接驱动（慢开关）
  • 降低系统成本

潜在应用

  • 无线充电
  • 适配器
  • 通信